王文武(中国科学院微电子研究所研究员)
![王文武(中国科学院微电子研究所研究员)](http://www.zzww.net/w/notimg/26.jpg)
个人简介
学 历: 博士
所属部门:
科技处
简历:
2003-2006年:日本东京大学,获得工学博士学位;
1998-2003年:兰州大学,获得理学博士学位;
1992-1997年:兰州大学,本科学习。
研究方向
纳米尺度CMOS器件与工艺技术
获奖及荣誉
1.2007年获得日本半导体MIRAI项目优秀奖,获奖项目:“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”,本人排序:2;
2.2008年获得日本半导体MIRAI项目最优秀奖,获奖项目:“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”,本人排序:9。
承担科研项目情况:
4.中科院微电子研究所所长基金:“高k/金属栅集成与阈值电压控制技术” (批准号:08SF041001),课题负责人,在研。
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