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王文武(中国科学院微电子研究所研究员)

王文武(中国科学院微电子研究所研究员)

王文武,2008-至今 :中国学院电子研究所。

基本介绍

中文:王文武国籍:中国性 别: 男职 称: 研究员

个人简介

学 历: 博士
所属部门
简历:
2006-2008年:日本半导体MIRAI项目
2003-2006年:日本东京大学,获得工学博士学位
1998-2003年:兰州大学,获得理学博士学位;
1997-1998年:中国空间技术研究院第510研究所;
1992-1997年:兰州大学,本科学习

研究方向

纳米尺度CMOS器件与工艺技术

获奖及荣誉

1.2007年获得日本半导体MIRAI项目优秀奖,获奖项目:“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”,本人排序:2;
2.2008年获得日本半导体MIRAI项目最优秀奖,获奖项目:“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”,本人排序:9。
申请发明专利30余项,其中美国专利2项,日本专利2项,国内专利30余项。
承担科研项目情况
1.国家02科技重大专项项目:“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”(批准号:2009ZX02035),子课题负责人,在研;
2.国家自然科学基金重点项目:“铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究” (批准号:50932001),子课题负责人, 在研;
3.教育部留学人员回国启动基金:“纳米尺度CMOS器件金属栅极的製备和高k/金属栅集成阈值电压控制技术”,课题负责人,在研;
4.中科院微电子研究所所长基金:“高k/金属栅集成与阈值电压控制技术” (批准号:08SF041001),课题负责人,在研。

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