临界放大
三极体的饱和区
先解释一下三极体的饱和区:
当Uce较小时,Ic变化较小,即Ib失去了对Ic的控制能力,三极体处于饱和状态。此时,三极体的发射结和集电结都处于正向偏置状态,即:Ube>Uon且Uce < Ube ,βIb > Ic,Uce ≈0.3V。深度饱和时的Uce用Uces表示,三极体深度饱和时Uces很小,一般小功率管的Uces< 0.3V,锗管的Uces< 0.1V,比硅管还要小。
定义:
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