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临界放大

临界放大

临界放大一个专业术语

基本介绍

中文:临界放大外文名:Critical amplification饱和:Ube>Uon且Uce < Ube简介:集电极和发射极间电压为零时状态

三极体的饱和区

解释一下三极体的饱和区:
当Uce较小时,Ic变化较小,即Ib失去了对Ic的控制能力,三极体处于饱和状态。此时,三极体的发射结和集电结都处于正向偏置状态,即:Ube>Uon且Uce < Ube ,βIb > Ic,Uce ≈0.3V。深度饱和时的Uce用Uces表示,三极体深度饱和时Uces很小,一般小功率管的Uces< 0.3V,锗管的Uces< 0.1V,比硅管还要小。

临界放大

定义

一般规定:当 Uce=Ube 时的状态为临界饱和(即Ucb=0);当 Uce<Ube 时的状态为过饱和。临界饱和状态和临界放大状态是指同一个意思。
什幺意思呢?可以理解为快要到达放大区了,但是还没有是一个临界状态,从“放大状态的条件是Ube>Uon且Uce>Ube或Uce=Ube”这里也可以看出来。
总的来讲,是指三极体工作在饱和区时,且集电极和基极之间电压为零(Ube=Uce)时的状态。这个是电路工作的一个特殊状态(方式)。但要记住的是这时的Ic依然是随着Uce的增大而增大的,这个可以从三极体输出特性曲线可以看到的,放大区的Ic则与Uce几乎没有什幺关係,只决定于基极电流Ib。
上述分析从基本共射电路出发欢迎补充这个定义在实际套用中的举例等。

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